联系我们

深圳市自达智能电子有限公司

手机:15118004636

传真:0755-23761142z

邮箱:3459524242@qq.com

地址:深圳市宝安区福永街道和平社区思源工业区恒基国际B栋2楼

网址:http://www.zdzndz.com/

您的位置:网站首页 > 新闻资讯
射频连接器的高功率射频和微波被动考虑因素和约束

射频连接器的高功率射频和微波被动考虑因素和约束

发布日期:2021/12/20 16:07:48

高水平的射频和微波功率是不可见的,难以检测,并且能够在小范围内产生令人难以置信的热量。

  通常,只有在组件发生故障或完全系统故障后才能检测到过功率压力。这种情况在电信和航空/国防应用中经常遇到,因为高功率水平的使用和暴露是满足这些应用性能要求所必需的。

  足够高的RF和微波功率水平会损坏信号路径中的元件,这可能是设计不良,材料老化/疲劳甚至是战略性电子攻击的产物。任何可能遇到高功率射频和微波能量的关键系统都必须仔细设计,并通过为大潜在功率水平指定的组件进行支持。其他问题,例如RF泄漏,无源互调失真和谐波失真,在高功率水平下会加剧,因为必须更多地考虑组件的质量。

  任何具有插入损耗的互连或组件都有可能吸收足够的RF和微波能量以造成损坏。这就是所有射频和微波元件具有大额定功率的原因。通常,由于RF能量有几种不同的工作模式,因此将为连续波(CW)或脉冲功率指定额定功率。

  另外,由于构成RF组件的各种材料可以改变不同功率,温度,电压,电流和年龄的行为,因此通常还指定这些参数。与往常一样,一些制造商对其组件的指定功能更加慷慨,因此建议在实际操作条件下测试特定组件以避免现场故障。这是RF和微波组件特别关注的问题,因为级联故障很常见。

  标签:射频功率计

6374172777270795175943354.jpg

上一篇: 电能质量分析仪维护有哪些呢? 下一篇:
文章关键词:射频功率计